반도체 선단공정

TSMC 7nm+가 ASML의 극자외선 장비를 쓴 첫 대량 양산 노드 — 7nm 이하를 연 도구.

삼성 3nm이 GAA 트랜지스터를 첫 양산 — FinFET을 잇는 프런티어 구조.

고대역폭 메모리가 또 하나의 희소 프런티어 부품으로 부상, SK하이닉스가 AI GPU 공급 선도.

2025년 3사 모두 2nm급 양산 진입(TSMC N2는 4분기); 수요가 공급을 초과해 파운드리 대기 장기화.

IBM이 세계 첫 sub-1nm(0.7nm / 7Å '나노스택') 로직 트랜지스터 구조를 2026 VLSI 심포지엄에서 실증 — 동작하는 CMOS 인버터와 손톱 크기 다이에 ~1,000억 트랜지스터. 제품이 아닌 연구 마일스톤으로, IBM은 여전히 2nm를 확대 중이며 양산은 빨라야 ~5년 후 전망. (일부 보도가 별개의 'Anderon' 양자칩 파운드리 계획과 혼동.)

인텔 18A가 PowerVia 백사이드 전력을 양산 노드에 도입 — 경쟁사도 도입 중인 구조적 변화.

트럼프 대통령이 (2026년 6월 18일 Truth Social에서) 애플이 미국 내 칩 설계·제조에 인텔과 협력하기로 했다고 언급 — 인텔 주가 ~9% 급등. 1년여 논의 끝의 예비 합의를 보도한 WSJ에 이은 것으로, 인텔이 우선 단순한 M시리즈부터 시작해 이후 아이폰 칩으로 확대하며 애플의 TSMC 의존도 분산을 도울 전망. 양사 모두 범위·시기·구조를 확인하지 않아 아직 미확정.

TSMC와 삼성이 ASML의 High-NA EUV 스캐너 채택을 확정했다 — 삼성은 2028년, TSMC는 2030년. 선두 파운드리들이 이 장비를 도입할지, 아니면 멀티패터닝으로 우회할지의 질문이 닫혔다. 인텔이 먼저 도입해 이미 High-NA를 가동 중이다. 같은 주에 세 회사는 포토마스크를 현행 6인치에서 12인치로 옮기는 ASML 주도 이니셔티브에 합류했고, 2031년 파일럿 라인·2033년 첨단 노드 양산이 목표다. 진짜 제약은 마스크 크기다. 인텔이 SPIE에서 제시한 데이터에 따르면, 현행 마스크가 High-NA 필드 크기에서 강제하는 두 번 노광 이어붙이기(stitching)는 스캐너 처리량을 시간당 약 175장에서 약 125장으로 떨어뜨린다 — 약 30% 생산성 손실이다.

High-NA EUV를 쓰는 다음 프런티어(TSMC A14·인텔 14A·삼성 SF1.4) — 2028년경 목표, 아직 미도달.